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K4S160822DT-FH Synchronous DRAM, 2MX8, 6ns, CMOS, P... SAMSUNG K4S160822DT-FHPDF下载
K4S160822DT-FL Synchronous DRAM, 2MX8, 6ns, CMOS, P... SAMSUNG K4S160822DT-FLPDF下载
K4S160822DT-GH Synchronous DRAM, 2MX8, 6ns, CMOS, P... SAMSUNG K4S160822DT-GHPDF下载
K4S160822DT-GL 暂无描述 SAMSUNG K4S160822DT-GLPDF下载
K4S160822DT-G/F7 2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synch... SAMSUNG K4S160822DT-G/F7PDF下载
K4S160822DT-G/F7 2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synch... SAMSUNG [Samsung semiconductor] K4S160822DT-G/F7PDF下载
K4S160822DT-G/F8 2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synch... SAMSUNG K4S160822DT-G/F8PDF下载
K4S160822DT-G/F8 2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synch... SAMSUNG [Samsung semiconductor] K4S160822DT-G/F8PDF下载
K4S160822DT-G/FH 2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synch... SAMSUNG K4S160822DT-G/FHPDF下载
K4S160822DT-G/FH 2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synch... SAMSUNG [Samsung semiconductor] K4S160822DT-G/FHPDF下载

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内存硅片逻辑（芯片逻辑）
与我们后面介绍dimm的物理bank相区别也称之为逻辑bank（logical bank）。由于工艺上的原因，这个阵列不可能做得太大，所以一般内存芯片中都是将内存容量分成几个阵列来制造，也就是说存在内存芯片中存在多个逻辑bank，随着芯片容量的不断增加，逻辑bank数量也在不断增加，目前从32mb到1gb的芯片基本都是4个，只有早期的16mbit和32mbit的芯片采用的还是2个逻辑bank的设计，譬如三星的两种16mb芯片：k4s161622d （512k x 16bit x 2 bank）和k4s160822dt（1m x 8bit x 2 bank）。芯片组本身设计时在一个时钟周期内只允许对一个逻辑bank进行操作（实际上芯片的位宽就是逻辑bank的位宽），而不是芯片组对内存芯片内所有逻辑bank同时操作。逻辑bank的地址线是通用的，只要再有一个逻辑bank编号加以区别就可以了（bank0到bank3）。但是这个芯片的位宽决定了一次能从它那里读出多少数据，并不是内存芯片里所有单元的数据一次全部能够读出，下图就是一个容量为32mb（256mbit）内存芯片内部逻辑bank结构示意图，从中你可以更清楚逻